球王会官方中国DUV光刻机最后一个难关突破14纳米光刻机年内

　　我国对于光刻机技术的研发一直都在积极推动，现在哈工大实验团队，在国产DUV光刻机的研发领域，突破了最后一个难关，现在能够完成核心部件的自行建造，14纳米的光刻机，就在今年内有望进行量产。

　　这个喜讯是让国人振奋的，毕竟光刻机的技术难题，一旦能解决，意味着而我国将会在这个领域取得更好的进展。

　　而拥有光刻机设备，将会对生产芯片产品，取得更好的推动。哈工大研发的超精密高速激光干涉仪，就是经过刻苦研发得到的，这是国产的DUV光刻机最后一个难关所在，突破这个关卡后，我国距离自己建造光刻机，制程精度在14纳米的设备是有充足的信心和技术支持，在年内可以量产。

　　哈工大相关团队对于激光干涉仪进行各种数据的测试和分析，进行试用和调试，报道了相关的参数等，对整体表现都很满意。

　　现在激光线纳米，可以应用到我国的350纳米和28纳米范围内的加工工艺的集成和测试等，还能为更加7纳米等高端的光刻机设备研发和生产，奠定基础和做出技术参数的积累。

　　我国目前在光刻机领域的进展也是平稳有序，可以实现28纳米芯片加工的DUV光刻机完全可以国产化供应，经过不断的提升工艺水平和改进瑕疵等，处于最后一个难关的问题卡壳在激光干涉仪，因为经过无数次的测试和调整，还是距离量产的标准有明显的差距，更是无法进行量产。

　　现在阻碍光刻机最后的难题已经完美解决了，哈工大研发的光栅激光干涉仪，采用了最先进的技术，属于多轴激光干涉仪的技术升级形式，测量精度也非常可观，现在只需要进行相关的调试和优化，28纳米的光刻机可以进行量产了，7纳米的光刻机也开始有希望了。

　　这一点甚至比荷兰的阿斯麦公司的同样精度制程的光刻机还是要更优化一些，毕竟28纳米制程的光刻机，阿斯麦公司也是使用的多轴激光干涉仪，我国关于光刻机领域的研发速度也让很多国家都大吃一惊。嗯体现了中国研发的实力和潜力无限。

　　现在这款光刻机，经过了制造工艺的提升之后，还能实现生产加工7纳米芯片的制程精度，相比EUV光刻机，精度的要求还要更高，甚至要到0.1纳米的精度。现在我国的光刻机建造技术，已经能够对制程精度为28纳米、14纳米和7纳米的芯片进行量产，这几种精度的技术已经完全掌控在我国的手里。

　　我国的芯片的量产能力，目前为止是每天能量产10亿颗芯片的产能，而且关于制程精度的需求，有七成的芯片为28纳米的工艺，有九成芯片可以满足7纳米芯片的要求，我国的芯片自产供给能力，也已经达到了四分之一的程度，未来我国的芯片自给自足的发展速度还会继续加强。

　　这对于中国来说，芯片和光刻机的发展速度已经创造了中国速度，毕竟从无到有，从落后到追赶，中国的芯片不断进步不断提升，取得阶段性进展。

　　光刻机技术的国产化，对我国的半导体产业的推动，是非常巨大的影响，也是自信满满的鼓励和支持，从生产设备的建造直接解决芯片的问题，对于中国来说，是给西方最有利的抗衡和反制，更是让西方国家都要后悔，使用芯片法案等卑劣手段，想要阻止我国的芯片技术和产业发展和升级，然而中国的科技实力非常雄厚，根本无法阻挡。

　　当然不可否认的是，现在的世界最先进的光刻机技术，尤其是硅基芯片的工艺，精度最高的设备还是在荷兰的手里，而且在这个领域我国还有设备技术和材料工艺等多项需要提升的部分，也有短板和不足，但是在让光刻机实现国产化的进程中，我国的哈工大的研发成果，对于推动芯片光刻机的产业升级，做出了重要的贡献。

　　未来我国的相关领域研发，也会集结系统化，产业化，更加注重规模化发展，为芯片和光刻机领域的优化，再接再厉。

　　随着解决了最难的部分，后续的发展也会相对更加顺畅，遇到的难题和瓶颈也会更加减少，这对于很多科研人员来说也是非常好的局面，国家非常重视芯片领域的发展，现在哈工大无疑在光刻机的建造方面带了好头，还有更多的科研团队，在不断研发和突破中，取得更多的佳绩。