球王会官方几种典型的光刻机对准办法及精度

　　光刻对准技能由初步的明场和暗场对准开展到后来的干与全息或外差干与全息对准、混合匹配、由大略到精密对准技能等。对准精度也由本来的微米级进步到纳米级，极大促进了制作业的开展。现在的高精度光刻设备首要选用的对准办法能够分为光栅衍射空间滤波和场像处理对准技能。从对准原理上及结构的视点分类，对准技能能够分为前期的投影光刻中的几许成像对准办法，包含双目显微镜对准、场像对准（field image alignment，FIA）等，到后来的波带片对准、干与强度对准、干与对准（laser interference alignment，LIA）以及莫尔条纹对准办法。常见的一些典型的光刻机对准办法及精度见表一。

　　在半导体工业开展的初步阶段，几许成像对准在集成电路制作中简直是仅有运用的光刻对准办法，也是现在操作最为简略、直观的对准办法，其间包含常见的双目显微镜对准、运用散射光的暗场对准、场像处理对准、双光束TTL对准、底面对准体系以及双焦点对准办法等。

　　双光束TTL对准技能，首要通过在掩模一侧通过精缩物镜进行丈量，该技能能答应接连的倍率操控，具有安稳性好、精度高、速度快等长处。可是因为其运用的光学资料较为单一，投影物镜的镜头在对准波长较长时成像才能有限，且焦面漂移很大，因为这个原因在深紫外光刻中简直不釆用此种对准计划。

　　这种办法也叫视频图画处理对准技能（field image alignment，FIA），是指在光刻套刻的进程中，掩模图样与硅片基板之间根本上只存在相对旋转和平移，充分运用这一有利条件，结合机器视觉映射技能，运用相机搜集掩模图样与硅片基板的对位符号信号。此种办法看上去尽管与双目显微镜对准有些相似，可是本质其实有所不同。场像处理对准技能是通过CCDS摄像对两个对位符号图画进行搜集、滤波、特征提取等处理，终究通过图画处理单元（image processing unit）进行准确认位和匹配参数核算，求得掩模图样与硅片基板之间的相对旋转和平移量，然后进行相位补偿和平移量补偿，主动完结对准的进程。其光源一般是宽带的卤素灯，波长在550~800nm。相关于其他的对准办法其具有对准精度高、结构简略、可操作性强、功率高的优势。其对准精度差错首要来自于图画处理进程。因而，挑选适宜的图画处理算法显得尤为重要。

　　路易斯安那州立大学M．Feldman等人规划的双焦点物镜对准体系，是针对一般状况下掩模硅片符号无法一同成像而改进的。该体系大致对准原理是，通过偏振分光镜将符号搜集后的光路分红两路，如图一。恰当延伸从掩模回来的光路长度，终究两符号都能够在CCD摄像机上成明晰等大的像，继而利于一同对准。运用相应的符号图画处理技能，该办法能够抵达约15nm对准精度(3σ，σ为规范差)。

　　以上述三种对准为代表的几许光学成像对准办法的最大长处是操作简略、直观，能够直接纳集对准符号完结对准；还能够直接进行二维成像及对准。缺点是精度越高，对准对光学体系规划的要求也越高，难以完结纳米级高精度对准，一同符号图画的外形简略受工艺进程影响、符号概括易受腐蚀改动等

　　依据线性波带片对准的办法首次于1979年由B．Fay等人提出，其掩模符号是条形波带片，硅片上准符号为一条很窄的光栅或许“点阵列”，如图二。其原理是从氦氖激光器出射的光通过波带片，在波带片的焦平面上(硅片外表)会聚成一条很窄的亮线。当硅片横向移动，符号光栅通过亮条纹中心时，光被衍射回来再次通过波带片会聚后，被光电勘探器接纳，而且这时接纳到的光强抵达最大。光强最大表明光栅与波带片中心对准，即掩模硅片完结对准。理论灵敏度能够抵达0.5nm，而相关试验得到的最好灵敏度约为50nm量级。

　　为战胜上述的缺点，威斯康辛大学的G.Chen等人提出的改进一种改进办法，一般叫做两状况对准体系（TSA)。根本原理是别离在两状况下，其掩模硅片符号不变，通过条形波带片将激光会聚到硅片上的光栅符号两边，记载每个状况下衍射回来的光强，两次回来衍射光的相对强度反映了光栅和波带片的相对方位，对准光别离在状况A和B时照在硅片符号中线的两边。别离提取两个状况的对准信号，由信号的相对强度确认对准度。体系的对准勘探灵敏度能抵达3nm，对准规划能抵达200至400nm。

　　后来G.Chen和M．Feldman还规划了别的一种对准办法。他们在硅片上选用两相邻光栅做符号，掩模上依然选用波带片，其间两光栅的分界线作为与波带片会聚光束的对准符号，避免了选用电光调制光变对准光路的状况。其间光栅符号有两种，一种是两个周期相差很小的相邻光栅组成符号，另一种是周期持平的相移光栅，如图三。

　　其原理与前面的两状况对准体系相似，提取从硅片符号的两相邻光栅回来的两束1级衍射光信号之差作为对准信号。该办法的勘探灵敏度很高，在没有工艺层或光刻胶的状况下，双光栅和相移光栅的灵敏度别离为1.8nm和0.7nm。较之前一种办法，它能够一同提取两路信号，然后取得对准信号，而且能够从回来强度判别到对准方位所需移动的方向。

　　该类办法的一同缺点是硅片需求坐落波带片的焦深规划内，回来光强度有必要对硅片方位和硅片掩模空隙一同坚持灵敏特性，保证空隙改动能引起回来光光强改动；别的，难以实时地检测对准和非对准的程度，每次找到对准方位后需求工件台移至该方位，无形中引入了工件台漂移，对准灵敏度下降。

　　D.C. Flanders等人将衍射光干与强度信息用于X射线光刻的对准，然后诞生了另一种对准办法——依据干与光强度的对准办法。该类办法原理能够描绘为，当光束透过掩模符号，通过硅片符号上的反射光栅衍射后，再次通过掩模上的符号光栅衍射，将构成一系列平行且对称的衍射级组、0级组、±l级组等，如图中的（0，1)、（1，0）便是级组。然后别离接纳对称衍射级组的干与光，将对称的衍射组干与光强之差转化为对准信号。只要在掩模硅片上周期相同的两符号光栅彻底对按时，两个对称级次的光强才持平。

　　这种办法的对准精度较高，能抵达几十纳米精度量级，其间选用光栅的“周期/对准精度”特性别离为：25μm/约200nm、10μm/小于100nm和1.2μm/约20nm。

　　硅谷光刻（SVGL）规划了另一种依据激光干与光强度信息的对准计划，称为TTM通过掩模对准办法。在这种技能中，它的硅片符号选用棋盘式二元光栅。TTM办法的最大改进之处在于选用歪斜入射、出射光路对准。当光以近似于利特罗角的斜角入射，通过掩模抵达硅片符号时以与入射光近似平行的视点衍射回来。这样带来了一些长处，一方面能够避开曝光光路，在曝光一同也能够对准；另一方面能够避开散逸光的搅扰，进步对准光强信号的对比度。

　　该类办法缺点是对准受掩模硅片空隙以及掩模硅片歪斜度影响，对准前有必要进行平行度校对；选用单组光栅时，对准规划小，需求粗对准辅佐。此外，该技能计划中光栅有必要严厉约束为非闪烁光栅，硅片工艺很简略影响光栅质量以及衍射光光强，然后使对准所需的光强对称性发生改动，终究导致对准信号的零点方位发生偏移。

　　跟着光刻对准技能的开展，一初步只是作为点评及测验光栅质量的莫尔（Moiré）条纹技能在光刻对准中的运用也得到了更深层的开发。起先，其只能完结较低精度的人工对准，但跟着细光栅衍射理论的开展，运用莫尔条纹相关特性逐渐也能够在比如纳米压印光刻对准等高精度对准范畴得到运用。

　　莫尔条纹现象，最先是被法国的工人发现的：当两层薄丝绸叠合在一一起会发生杂乱的水波纹图画，假如两层丝绸相对移动的话，发生的图画也会随之发生改动。将这种水波纹图画称为莫尔条纹。从光学技能视点上来说，莫尔条纹是两条光栅或其他两个物体之间，当它们以必定的视点和频率运动时，会发生干与条纹图画。当人眼无法看到实践物体而只能看到干与斑纹时，这种光学现象便是莫尔条纹。L. Rayleigh最早对这个现象做出了解说，两个堆叠的平行光栅会生成一系列与光栅质量有关的低频条纹，他的理论指出当两个周期持平的光栅栅线以必定夹角平行放置时，就会发生莫尔条纹，而周期不持平的两个光栅栅线夹角为零（栅线也坚持平行）平行放置时，也会发生相关于光栅周期扩大的条纹。

　　莫尔条纹技能运用于光刻对准是由M.C. King和D.H. Berry于1972年提出来的。他们提出用周期稍有不同的圆光栅或菲涅尔波带片作为掩模和基片的对准符号。其首要思路是把掩模和硅片上的对准符号做成光栅或其它周期性的栅格结构，在激光之类单色光的笔直照射下，因为发生了衍射效应，基片上的对准符号和掩模板上的对准符号之间将发生莫尔条纹或衍射光斑，以放置在条纹或光斑平面内的光电勘探器的输出信号为对照依据。当对准光栅沿着笔直于栅线的方向移动时，一同令参阅光栅固定不变，莫尔条纹的运动方向便近似笔直于光栅的移动方向。图五是一个莫尔条纹对准的简略示意图。

　　激光束在榜首个相位光栅处发生衍射，透射的各级次衍射光束通过透镜2，只要0级和±1级衍射光透过，更高档次的衍射光被透镜的有限孔径所阻挠；一同用空间滤波器遮挡掉零级衍射光，则只要±1级衍射光通过透镜1（沿透镜1的±1级衍射角方向）对称照射在硅片的对准符号上发生衍射，其间入射光束1的-1级和入射光束2的+1级衍射光方向均笔直于对准符号外表，能够得到±1级入射光在硅片对准光栅的衍射光构成的光构成干与条纹得到正弦方式的对准符号的完好信号，对准符号随工件台移动扫描参阅光栅，通过光电勘探器勘探得到±1级的对准信号。当参阅光栅固定不变，让对准光栅沿着笔直于栅线的方向移动，莫尔条纹的运动方向近似笔直于光栅的移动方向。光栅每移动一个栅距，莫尔条纹就移动一个条纹距离，光栅改动运动方向，莫尔条纹的运动也随之改动方向，两者之间有着对应的运动联系，能够通过丈量莫尔条纹的方位来获取对准光栅的位移量和移动方向。

　　在实践光刻对准中，单位振幅的平行光通过衬底和掩模符号上频率挨近的两组光栅的调制效果后，会构成按必定规则散布、包含有安稳相位信息的莫尔条纹。该条纹能够在必定程度上反映两光栅之间的相对方位联系，在必定程度上能够反映对准进程中掩模版和硅片基板的相对方位联系。当掩模版和基板上的符号光栅发生相位运动时，其发生的莫尔条纹将会随之发生运动。此种办法因为把相对方位改换的信息反映到在莫尔条纹的相位信息中，能够战胜光强改动对对准功用的影响，具有很好的抗搅扰才能。

　　因为莫尔条纹对准处理的对象是两组符号间的复合衍射位相而不是强度，因而对对准信号的反射强度要求不高，而信号的灵敏度和对比度都很好，这一杰出长处使它很合适于多层套刻。这种对准体系的长处还在于，其对准信号是整个符号光栅的归纳均匀效应，因而对光栅的部分制作差错和工艺进程中对光栅结构形成的部分损坏和变形不灵敏，不会因这些改动而下降对准精度。但在该对准体系中也存在这样一个缺点：因为对准所选用的波长和曝光选用的波长不同于一般对准选用的波长较长的可见激光，这样就会使同轴对准体系存在着色差的影响，一个完善的对准体系应该一同具有消除这种影响的相应办法。

　　明场和暗场对准技能归于前期广泛运用的光度式对准办法。关于明场光学对准成像来说，其光学组成来自于硅片基板上对准符号的反射光和散射光；而关于暗场对准成像而言，其光学体系仅搜集来自于对准符号边际的散射光或衍射光，一同阻拦来自于符号平整面的直接反射光。关于明场对准技能而言，其取得的信号强度比暗场对准技能取得的信号强度要强上大约10倍，可是暗场对准技能取得的对准精度要比明场对准技能取得的对准精度更高，在实践运用中要依据实践需求来进行挑选。

　　在同轴对准体系中，一般釆用TTL衍射光栅同轴对准技能。其对准进程为：线偏振光束摄入光刻机投影物镜，通过物镜内小反射镜反射，笔直照明硅片基板上的对准符号，符号光栅发生衍射，各级衍射光沿原光路回来，零级和高档衍射光被物镜内的空间滤波器滤去，只要±1级衍射光束穿过投影物镜成像于掩模面并发生干与。实践操作中，能够通过SAVART板把±1级光切分为偏振方向彼此笔直的o光和e光，然后通过掩模是非光栅后，o光和e光的光强会遭到硅片和掩模之间相对方位的影响。然后通过一种光调制器，对入射的线偏振光进行光学调制，以50kHz的固定高频使出射的o光和e光发生偏振方向的回转交换。终究再运用检偏器和电路解调，确认对准点。

　　离轴对准体系的光路不通过投影物镜，不受投影物镜的约束，光路规划具有较大的自由度；另一方面物镜也不受对准体系的约束，使物镜的规划制作相对比较简略。可是因为对准体系无法感知到物镜倍率的改动、像差、畸变等，使得该技能的对准精度无法抵达很高，因而该技能在高精度投影光刻体系中运用的不多。

　　掩模版和硅片基板进行直接的TTL同轴对准，其光学结构相对简略，可是这种对准计划简略遭到工艺习惯性的约束，而且该计划要求对准光路要穿过投影物镜，对准光源的波长要远离曝光光源的波长，这就要求投影物镜体系上的一切镜片都要镀上一层双峰增透膜。关于大都光刻体系所用投影物镜来说，为保证其有满意的透过率，即便只镀一层单峰增透膜现已适当困难，更何况还要镀上双峰增透膜，难度极大。因而，关于大都光刻体系，不得不选用在同轴对准的根底上结合离轴对准的直接对准计划。

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　　TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下作业，一同在整个V DD 上坚持十分低的静态电流和温度规划。 TPS3840供给低功耗，高精度和低传达推迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）。当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时，复位信号被铲除）起浮或高于V MR _H ，复位时刻推迟（t D ）到期。能够通过在CT引脚和地之间衔接一个电容来编程复位延时。关于快速复位，CT引脚能够悬空。 附加功用：低上电复位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护，内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD））。 TPS3840是一款完美的电压监测解决计划，适用于工业运用和电池供电/低功耗运用。 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 特性 宽作业电压：1.5 V至10 V 纳米电源电流：350 nA（典型值） 固定阈值电压（V IT - ） 阈值从1.6 V到4.9 V，步长为0.1 V 高精度：1％（典型值） 内置滞后（V IT + ） 1.6 V＆lt; V IT - ≤3.1V= 100mV（典...

　　INA240-SEP 选用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 按捺功用的 80V、高/低侧、零漂移电流检测扩大器

　　INA240-SEP器材是一款电压输出，电流检测扩大器，具有增强的PWM反射功用，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降规划为-4V至80V，与电源电压无关。负共模电压答应器材在地下作业，习惯典型电磁阀运用的反激时刻。 EnhancedPWM按捺为运用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）体系（如电机驱动和电磁阀操控体系）供给高水平的按捺。此功用可完结准确的电流丈量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关康复纹波。 该器材选用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调答应电流检测，分流器上的最大压下降至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事情闩锁（SEL）免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次运用晶圆批次可达30 krad（Si） TotalIonizing Dose（TID）RLAT至20krad（Si） 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

　　一个安装和测验现场 一个制作现场 可用于军用（-55°C至125°C）温度规划 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改告诉 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM按捺 超卓...

　　LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线丈量： 两个长途二极管衔接晶体管及其本身裸片的温度 VCCP，2.5V，3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻）。 为了设置电扇速度，LM96000有三个PWM输出，每个输出由三个温度区域之一操控。支撑高和低PWM频率规划。 LM96000包含一个数字滤波器，可调用该滤波器以滑润温度读数，然后更好地操控电扇速度。 LM96000有四个转速计输入，用于丈量电扇速度。包含一切丈量值的约束和状况寄存器。 特性 契合SMBus 2.0规范的2线位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V，3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个长途热二极管 依据温度读数的可编程自主电扇操控 电扇操控温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM电扇速度操控输出 供给凹凸PWM频率规划 4电扇转速计输入 监控5条VID操控线针TSSOP封装 XOR-tree测验形式

　　Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

　　LM63是一款带集成电扇操控的长途二极管温度传感器。 LM63准确丈量：（1）本身温度和（2）二极管衔接的晶体管（如2N3904）或核算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63长途温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm飞跃4和移动飞跃4处理器-M热敏二极管的1.0021非抱负性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器，用于校对由其他热二极管的不同非抱负要素引起的差错。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏电扇操控输出。电扇速度是长途温度读数，查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表运用户能够编程非线性电扇速度与温度传递函数，一般用于静音声学电扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管衔接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其本身温度

　　针对英特尔飞跃4和移动飞跃4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM电扇速度操控输出 运用用户可编程下降声学电扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入，功用的多功用，用户可选引脚 用于丈量电扇RPM的转速计输入

　　用于丈量典型运用中脉冲宽度调制功率的电扇转速的Smart-Tach形式 偏移寄存器可针对...

　　AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片轿车雷达传感器

　　AWR1843器材是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内作业。该器材选用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制作，可在极小的外形尺度内完结史无前例的集成度。 AWR1843是轿车范畴低功耗，自监控，超准确雷达体系的抱负解决计划。 AWR1843器材是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决计划，可简化在76至81 GHz频段内施行轿车雷达传感器。它依据TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺，可完结具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX体系的单片完结。它集成了DSP子体系，其间包含TI的高功用C674x DSP，用于雷达信号处理。该设备包含BIST处理器子体系，担任无线电装备，操控和校准。此外，该器材还包含一个用户可编程ARM R4F，用于轿车接口。硬件加速器模块（HWA）能够履行雷达处理，并能够协助在DSP上保存MIPS以取得更高档别的算法。简略的编程模型更改能够完结各种传感器完结（短，中，长），而且能够动态重新装备以完结多模传感器。此外，该设备作为完好的渠道解决计划供给，包含参阅硬件规划，软件驱动程序，示例装备，API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL，发送器，接纳...

　　OPAx388（OPA388，OPA2388和OPA4388）系列高精度运算扩大器是超低噪声，快速安稳，零漂移，零穿插器材，可完结轨到轨输入和输出运转。这些特性及优异沟通功用与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合，使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的抱负挑选。该规划可在驱动模数转换器（ADC）的进程中完结优异功用，不会下降线（单通道版别）供给VSSOP-8，SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388（双通道版别）供给VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388（四通道版别）供给TSSOP-14和SO-14两种封装。上述一切版别在-40°C至+ 125°C扩展工业温度规划内额外运转。 特性 超低偏移电压：±0.25μV 零漂移：±0.005μV/°C 零穿插：140dB CMRR实践RRIO 低噪声：1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声：140nV

　　PP （0.1Hz至10Hz） 快速安稳：2μs（1V至0.01％） 增益带宽：10MHz 单电源：2.5V至5.5V 双电源：±1.25V至±2.75V 实在轨到轨输入和输出 已滤除电磁搅扰（ EMI）/射频搅扰（RFI）的输入 职业标...

　　TLVx314-Q1系列单通道，双通道和四通道运算扩大器是新一代低功耗，通用运算扩大器的典型代表。该系列器材具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA），3MHz高带宽等特性，十分适用于需求在本钱与功用间完结杰出平衡的各类电池供电型运用。 TLVx314-Q1系列可完结1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的抱负挑选。 TLVx314-Q1器材选用稳健经用的规划，便利电路规划人员运用。该器材具有单位增益安稳性，支撑轨到轨输入和输出（RRIO），容性负载高达300PF，集成RF和EMI按捺滤波器，在过驱条件下不会呈现反相而且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。 此类器材通过优化，合适在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状况下作业并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度规划内额外运转。 TLV314-Q1（单通道）选用5引脚SC70和小外形尺度晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版别）选用8引脚小外形尺度集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺度（VSSOP）封装。四通道TLV4314-Q1选用14引脚薄型小外形尺度（TSSOP）封装。 特性 契合轿车类运用的要求 具...

　　DRV5021器材是一款用于高速运用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器材选用2.5V至5.5V电源作业，可检测磁通密度，并依据预界说的磁阈值供给数字输出。 该器材检测笔直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超越磁操作点（B OP ）阈值时，器材的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度下降到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 别离发生的滞后有助于避免输入噪声引起的输出差错。这种装备使体系规划愈加强壮，可反抗噪声搅扰。 该器材可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度规划内始终如一地作业。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V作业电压V CC 规划 磁灵敏度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT，1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT DRV5021A3：17.9 mT，14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够抵达20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪才能 作业温度规划：-40° C至+ 125°C 规范工业封装： 外表贴装SOT-23 一切商标均为其各自一切者的产业。 参数 与其它产品比较 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

　　TLV1805-Q1高压比较器供给宽电源规划，推挽输出，轨到轨输入，低静态电流，关断的共同组合和快速输出呼应。一切这些特性使该比较器十分合适需求检测正或负电压轨的运用，如智能二极管操控器的反向电流保护，过流检测和过压保护电路，其间推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的共同之处，它具有答应输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边际速率。这在MOSFET开关需求被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源衔接或断开的运用中特别有价值。低输入失调电压，低输入偏置电流和高阻态关断等附加功用使TLV1805-Q1满意灵敏，能够处理简直任何运用，从简略的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1契合AEC-Q100规范，选用6引脚SOT-23封装，额外作业温度规划为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100契合以下成果： DeviceTemperature 1级：-40°C至+ 125°C环境温度作业温度 器材HBMESD分类等级2 器材CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源规划 低静态电流：每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模规划 相位回转保护 推 - 拉输出 250ns传达推迟 低输入失...

　　这个长途温度传感器一般选用低本钱分立式NPN或PNP晶体管，或许基板热晶体管/二极管，这些器材都是微处理器，模数转换器（ADC），数模转换器（DAC），微操控器或现场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件。本地和长途传感器均用12位数字编码表明温度，分辨率为0.0625°C。此两线制串口承受SMBus通信协议，以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器材将比如串联电阻抵消，可编程非抱负性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度约束和可编程数字滤波器等高档特性完美结合，供给了一套准确度和抗扰度更高且稳健经用的温度监控解决计划。 TMP461-SP是在各种散布式遥测运用中进行多方位高精度温度丈量的抱负挑选这类集成式本地和长途温度传感器可供给一种简略的办法来丈量温度梯度，然后简化了航天器保护活动。该器材的额外电源电压规划为1.7V至3.6V，额外作业温度规划为-55 °C至125°C。 特性 契合QMLV规范VXC 热增强型HKU封装 经测验，在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可反抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID） 经测验，在10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可反抗高达100krad（Si）的电离辐射...

　　LP87524B /J /P-Q1旨在满意各种轿车电源运用中最新处理器和渠道的电源办理要求。该器材包含四个降压DC-DC转换器内核，装备为4个单相输出。该器材由I 2 C兼容串行接口和enableignals操控。 主动PFM /PWM（主动形式）操作可在宽输出电流规划内最大极限地进步功率。 LP87524B /J /P-Q1支撑长途电压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降，然后进步输出电压的精度。此外，开关时钟能够强制为PWM形式，也能够与外部时钟同步，以最大极限地削减搅扰。 LP87524B /J /P-Q1器材支撑负载电流丈量，无需增加外部电流检测电阻器。此外，LP87524B /J /P-Q1还支撑可编程的发动和封闭推迟以及与信号同步的序列。这些序列还能够包含GPIO信号，以操控外部稳压器，负载开关和处理器复位。在发动和电压改动期间，器材操控输出压摆率，以最大极限地削减输出电压过冲和浪涌电流。 特性 契合轿车运用要求 AEC-Q100契合以下成果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境作业温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

　　TAS2562是一款数字输入D类音频扩大器，通过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器运用中。 D类扩大器能够在电压为3.6 V的状况下向6.1负载供给6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可完结对扬声器的实时监控。这答应在将扬声器坚持在安全操作区域的一同推进峰值SPL。具有避免掉电的电池盯梢峰值电压约束器可优化整个充电周期内的扩大器裕量，避免体系封闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器材共用一个公共总线 mm距离CSP封装，尺度紧凑。 高功用D类扩大器 6.1 W 1％THD + N（3.6 V时4Ω） 5 W 1％THD + N（在3.6 V时为8Ω） 15μVrmsA加权闲暇信道噪声 112.5dB SNR为1％THD + N（8Ω） 100dB PSRR，200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5％功率为1 W （8Ω，VBAT = 4.2V） ＆lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT盯梢峰值电压约束器，具有欠压防备 8 kHz至192 kHz采样率 灵敏的用户界面 I 2 S /TDM：8通道（32位/96 kHz） I 2

　　LM358B和LM2904B器材是业界规范的LM358和LM2904器材的下一代版别，包含两个高压（36V）操作扩大器（运算扩大器）。这些器材为本钱灵敏型运用供给了杰出的价值，具有低失调（300μV，典型值），共模输入接地规划和高差分输入电压才能等特色。 LM358B和LM2904B器材简化电路规划具有增强安稳性，3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功用。 LM358B和LM2904B器材具有高ESD（2 kV，HBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最巩固，极具环境挑战性的运用。 LM358B和LM2904B器材选用微型封装，例如TSOT-8和WSON，以及职业规范封装，包含SOIC，TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源规划（B版） 供给 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 一般 - 形式输入电压规划包含接地，使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV（A和B类型，最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在契合MIL-PRF-38535的产品上，除非还有阐明，不然一切参数均通过测验。在一切其他产品上，出产加工不必定包含一切参数的测验。 所...

　　LP8756x-Q1器材专为满意各种轿车电源运用中最新处理器和渠道的电源办理要求而规划。该器材包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可装备为1个四相输出，1个三相和1个单相输出，2个两相输出，1个两相和2个单相输出，或许4个单相输出。该器材由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行操控。 主动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO形式）与主动增相和切相相结合，可在较宽输出电流规划内最大极限地进步功率.LP8756x-Q1支撑对多相位输出的长途差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，然后进步输出电压的精度。此外，能够强制开关时钟进入PWM形式以及将其与外部时钟同步，然后最大极限地下降搅扰。 LP8756x- Q1器材支撑在不增加外部电流检测电阻器的状况下进行负载电这个序列或许包含用于操控外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号。在发动和电压改动期间，该器材会对输出压摆率进行操控，然后最大极限地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 契合轿车类规范 具有契合AEC-Q100规范的下列特性： 器材温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运转温度规划 器材HBM ESD分类等级2 器材CDM ES...

　　LM290xLV系列包含双路LM2904LV和四路LM2902LV运算扩大器。这些器材由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算扩大器能够代替低电压运用中的本钱灵敏型LM2904和LM2902。有些运用是大型电器，烟雾勘探器和个人电子产品.LM290xLV器材在低电压下可供给比LM290x器材更佳的功用，而且功用耗尽。这些运算扩大器具有单位增益安稳性，而且在过驱状况下不会呈现相位回转.ESD规划为LM290xLV系列供给了至少2kV的HBM规范。 LM290xLV系列选用职业规范封装。这些封装包含SOIC，VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于本钱灵敏型体系的工业规范扩大器 低输入失调电压：±1mV

　　共模电压规划包含接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益安稳 可在2.7V至5.5V的电源电压下运转 供给双通道和四通道类型

　　严厉的ESD规范：2kV HBM 扩展温度规划：-40°C至125°C 一切商标均为各自一切者的产业。 参数 与其它产品比较 通用 运算扩大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

　　LP8756x-Q1器材专为满意各种轿车电源运用中最新处理器和渠道的电源办理要求而规划。该器材包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可装备为1个四相输出，1个三相和1个单相输出，2个两相输出，1个两相和2个单相输出，或许4个单相输出。该器材由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行操控。 主动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO形式）与主动增相和切相相结合，可在较宽输出电流规划内最大极限地进步功率.LP8756x-Q1支撑对多相位输出的长途差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，然后进步输出电压的精度。此外，能够强制开关时钟进入PWM形式以及将其与外部时钟同步，然后最大极限地下降搅扰。 LP8756x- Q1器材支撑在不增加外部电流检测电阻器的状况下进行负载电这个序列或许包含用于操控外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号。在发动和电压改动期间，该器材会对输出压摆率进行操控，然后最大极限地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 契合轿车类规范 具有契合AEC-Q100规范的下列特性： 器材温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运转温度规划 器材HBM ESD分类等级2 器材CDM ES...