根据材料体系有GaN基蓝光系列、砷化镓、磷化铟等组合起来的三元或者四元体系。每一种体系由于其最优的外延基板不同，P、N面打金线方向不同，有正负极同向、有反向。

　　激光芯片根据使用范围主要有大功率应用的可见光、通讯用的红外光，还有医疗美容用的800~980nm的红外光，根据功率值要求，芯片设计的大小也是区别很大。

　　对于大功率的激光器，需要更长的谐振腔长，1000um以上是经常的。对于小功率的通讯用激光器一般100um左右即可，如下图。

　　同时根据需要可以在一个芯片上设计多个发光带，根据需要可以有很多，也叫芯片级集成，优点是同样大小的芯片光功率大很多。缺点是散热要求高。

　　以每个发光单元2W，有源区尺寸1um×100um计算，体发热密度2×1010W/m3。以50%电光转换效率计算，一个典型的中等功率50W/bar，腔长为1mm，热流密度为500W/cm2，电流密度1000A/cm2

　　因此为了散热效果，需要把P面朝下，和热沉直接接触。因为有源区更靠近P面，有源区距离P面的距离一般在200nm以内，到N面大概有90um。因此为了让热更短距离的传到到热沉上，把热沉做正极，上表面做负电极。

　　TO封装技术，其实指TransistorOutline或者Through-hole封装技术，也就是全封闭技术，成本低，工艺简单。

　　独一无二的50W光学输出功率：欧司朗光电半导体最新的激光器模块PLPM4450大幅简化了专业激光投影仪的构造。这是第一次将多达20颗蓝光激光器芯片封装进一个小型外壳里。而且，每颗芯片的光功率都翻了一倍，因而总功率达到了50W，使得投影仪仅用一个外壳即可获得超过2000流明的亮度。

　　输出功率：5W工作电流：5.5A阀值电流：1A波长：808nm谱宽：3.0nm温漂系数：0.3nm/°

　　斜度效率：≥1.1W/A功率转换效率：≥50%平行光发散角：8Deg最大工作电压：2.0V最大反向电压：2.5V焊接温度：260°

　　之一摩尔曾在1965年作出预言：半导体将会得到高速发展，电子学会随之获得广泛的普及，渗透到宽广的应用领域中。从半个世纪之后再往回看，这一预言早已得到了完美印证。虽然光纤

　　的温度：只要温度发生漂移，波长就会改变，转换效率将会降低。要求的温度稳定性介于±0.001°

　　的发明颇具偶然性。1962年，休斯公司实验室研究人员伍德布利（Woodbury）等用液态硝基苯染料盒对红宝石

　　的性能在不断提升。图3、（a）氮化镓/蓝宝石模板和（b）GaN自支撑衬底的位错缺陷对比（图中暗斑为位错缺陷）在衬底方面，早期的氮化镓

　　输出功率涵盖10W至500W，具有更高的电光转换效率，输出功率稳定。200W以下的直接半导体