光刻机是非常复杂的半导体设备,如果是的EUV光刻机,还会用上10万个零部件,涉及全球5000多家供应商。因此光刻机不是一家公司或者一个国家地区能独立制造出来的,是全球化的成果。
但再难的技术也是一点一滴积累起来的,中国厂商,科研机构不断努力,华为就突破了一项EUV光刻机关键技术。恐怕ASML该着急了。
各国加紧芯片制造行业布局,美国拿出520亿美元的补贴,欧盟也制定了430亿欧元的芯片补贴计划,中国制定了70%的芯片自给率目标。要想在芯片制造行业占据一席之地,那么光刻机设备是不可或缺的。
ASML是主要的光刻机供应商,与国内客户有密切往来,只不过这家公司受到美国规则的限制,无法对中国自由出货的EUV光刻机。进口这条路行不通,只能靠自研了。
问题是制造光刻机有多难?其实难度是非常高的,因为它需要高度精密的技术和材料,用于将芯片设计图案转移到硅片上。光刻机需要具备高分辨率、高精度、高速度等特点,能够在极其微小的尺度下进行精确的刻画。
此外,光刻机的制造需要掌握多种领域的技术,如光学、机械、电子等,需要投入大量的研发和制造成本。别的暂且不说,光刻机的四大件就足以耗费几十年的研发历程。
尽管光刻机的研发难度很高,ASML还是担心在欧美限制出口的情况下,中国会加速国产光刻机的研发,并直言物理规则在中国也是有效的。
ASML这是担心中国有朝一日取得技术突破,替代ASML的光刻机市场份额。事实证明,中国企业已经在加速布局了,就比如华为突破了一项EUV光刻机关键技术。
这是一项技术专利,名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”,该专利涉及光学领域,主要作用是进行匀光调试。
不只是华为,国内也存在许多EUV光刻机领域的技术突破,包括华中科大成功推出OPC软件,哈工大破冰激光干涉仪,长春光机所突破EUV光源工程化样机等等。
也许这些突破进展还无法构成整体的EUV光刻机设备,但有了一点一滴的积累之后,未来就有可能实现厚积薄发。恐怕ASML该着急了,正如ASML所预见的一样,中国在加速国产光刻机的研发,迟早会走上替代化之路。
上海微电子是国内唯一的整机光刻机厂商,可实现90nm光刻机的量产,而针对更先进的制程工艺,相信也在研究中。
既然有诸多进展已经亮相,是否意味着中国芯赢了呢?或许还需要保持客观理性的态度,在没有走到最后一步之前,不能过早下定论,也不能轻易否定已有的科研成果。
美国不断扩大限制范围,联合荷兰,日本达成协议,要对DUV光刻机以及几十项半导体设备实施出口管制。自主研发显得刻不容缓,对此,国产光刻机该如何布局应对呢?
首先投入更多的资金和人力资源,加快自主技术的研发。中国已经在光刻机领域取得了一定的进展,但还需要进一步提高技术水平,实现自主可控。
其次加强与国际领先企业的合作。中国可以与其他国家的光刻机企业进行合作,共同研发高端光刻机,并在技术创新和市场开拓方面加强合作。
另外降低对进口光刻机的依赖。中国可以鼓励本土企业加强对光刻机的研发和生产,减少对进口光刻机的依赖,提高自主创新能力。
除了这些,中国可以通过加强知识产权保护,保护自主研发的技术成果,防止技术被盗窃或侵权。有了夯实的知识保护体系之后,才能引导更多的厂商参与研究。
综合来看,中国需要通过多种方式来应对ASML被美国限制无法向中国出售EUV光刻机的情况,实现自主可控,提高技术水平,促进产业升级。ASML虽然积极向中国市场出货,但只能销售旧款设备,如果一直依赖进口,很难跻身高端光刻机产业。
所幸有华为这些厂商攻坚克难,突破一项又一项EUV光刻机关键技术,待最终组成完整的体系,相信一切都会水到渠成。
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